高性能電子陶瓷材料及薄膜電路設計交流會
2023-03-13
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高純碳化硅粉體合成方法研究現狀綜述
碳化硅作為第三代半導體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。
單層芯片電容的制備方法
單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛星通訊等方面，具有量大面廣的特點。
?輸入電壓檢測安全保護功能的前提下空載功耗仍然能夠小于30mW
采用BiCDMOS高耐壓工藝，在內置高邊MOSFET(非同步整流型*4)的非隔離型DC/DC轉換器IC中，實現了業內超高的80V耐壓等級，從而可以使安全工作范圍更寬?！ ∨c同等輸出電流的普通產品相比，耐壓成功地提高了約20%，不僅在5G通信基站和服務器等的48V主電源系統中，而且在電池日益大型化的電動自行車和電動工具的60V電源系統中，都擁有足夠的余量應對突發性的浪涌電壓，因此有助于提高應用產品的
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第二屆“科創會”市州重點科創項目推介洽談專場路演活動
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?劉志輝博士：99.6%氧化鋁基板及薄膜金屬化（報告）
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發布時間：2020-12-07 18:30:37
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